(19)
J
Europalsches Patentamt
European Patent Office
Office europeen des brevets
(12)
(H) EP1 138 822A2
EUROPAISCHE PATENTANMELDUNG
(43)
Veroffentlichungstag:
(51) mt ci 7: D21F 11/04, D21F 11/08,
04.10.2001 Paten tb I att 2001/40
D21 F 9/00
(21)
Anmeldenummer: 01100938.8
(22)
Anmeldetag: 17.01 .2001
(84)
Benannte Vertragsstaaten:
(72) Erfinder:
AT BE CH CY DE DK ES Fl FR GB GR IE IT LI LU
• Wassermann, Alexander
MCNLPT SE TR
1040 Wien (AT)
Benannte Erstreckungsstaaten:
• Felchtinger, Manfred, Dr.
AL LT LV MK RO SI
3100 St. Polten (AT)
• Nagler, Thomas
(30)
Prioritat: 30.03.2000 DE 10015827
3100 St. Polten (AT)
(71)
Anmelder: Voith Paper Patent GmbH
89522 Heidenheim (DE)
(54) Maschine zur Herstellung einer mehrlagigen Faserstoffbahn
(57) In einer Maschine zur Herstellung einer mehr-
lagigen Faserstoffbahn, insbesondere einer Papier-
oder Kartonbahn, bei der die durch einen jeweiligen For-
mer gebildeten Lagen miteinandervergautscht werden,
sind wenigstens zwei miteinander zu vergautschende,
auf einer Seite jeweils einen geringeren Feinstoffgehalt
aufweisende Lagen der betreffenden Gautschzone so
zugefuhrt, daB sie mit ihren Seiten geringeren Feinstoff-
gehalts miteinander in Kontakt kommen. Dabei ist zu-
mindest eine dieserbeiden Lagen durch ein Gapformer
erzeugt.
Printed by Jouve, 75001 PARIS (FR)
7/24/06, EAST Version: 2.0.3.0
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EP 1 138 822 A2
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Beschreibung
[0001] Die Erfindung betrifft eine Maschine zur Her-
stellung einer mehrlagigen Faserstoffbahn, insbeson-
dere einer Papier- oder Kartonbahn, bei der die durch
einen jeweiligen Former gebildeten Lagen miteinander
vergautschtwerden. Einesolche Maschine istbeispiels-
weise aus der DE 197 33 316 A1 bekannt.
[0002] Es sind mehrere Arten von Formen bekannt,
zu denen beispielsweise Langsiebformer, Hybridformer
und sogenannte Roll-Blade-Gapformer zahlen. Bei den
ublichen Langsiebformern erfolgt die Entwasserung zur
Siebseite. Durch Leistenimpulse ergibt sich eine Anrei-
cherung von Feinstoffen an der Oberseite. Bei Hybrid-
formern erfolgt die Hauptentwasserung zur Siebseite.
Durch eine im Obersiebbereich erfolgende Entwasse-
rung zur Oberseite wird der Feinstoffanteil an der Ober-
seite reduziert Bei Roll-Blade-Gapformern erfolgt die
Entwasserung zuerst zur Obersiebseite und anschlie-
Bend zur Untersiebseite, wodurch sich ein hoherer Fein-
stoffgehaltan der Untersiebseite ergibt. Eswurdenauch
bereits Kombinationen von zwei oder mehreren Gapfor-
mem vorgeschlagen. Zu den bisherigen Ausfuhrungs-
formen mit zwei Gapformern fur den Verpackungsbe-
reich zahlt eine solche mit einem sogenannten DuoFor-
mer Base und DuoFormerTop mit gleicher Laufrichtung
der Papierbahn bei der Blattbildung. Hierbei erfolgt eine
Vergautschung der feinstoffarmen Obersiebseite mit
der feinstoffreichen Untersiebseite.
[0003] Ein Nachteil der bisher vorgeschlagenen Aus-
fiihrungen besteht darin, daB die Lagenhaftung zwi-
schen den beiden Lagen bei manchen Anwendungen
zu hoch ist.
[0004] Ziel der Erfindung ist es, eine verbesserte Ma-
schine der eingangs genannten Art zu schaffen, mit der
der zuvor genannte Nachteil vermieden wird.
[0005] Diese Aufgabe wird nach der Erfindung da-
durch gelost, daB wenigstens zwei miteinander zu ver-
gautschende, auf einer Seite jeweils einen geringeren
Feinstoffgehalt aufweisende Lagen der betreffenden
Gautschzone so zugefuhrt sind, daB sie mit ihren Seiten
geringeren Feinstoffgehalts miteinander in Kontakt
kommen, und daBzumindest eine dieser beiden Lagen
durch einen Gapformer erzeugt ist.
[0006] Aufgrund dieser Ausbildung ergibt sich eine re-
duzierte Lagenhaftung zwischen zwei Lagen, so daB
nunmehr ein gezieltes Abtrennen einer Lage ohne Zer-
storung der ubrigen Lagen moglich ist. Ein weiterer Vor-
teil ergibt sich hinsichtlich einer moglichen Veranderung
der Papiereigenschaften in Bezug auf Porositat, Rau-
higkeit, Penetrationseigenschaften und Bedruckbarkeit.
[0007] Vorzugsweise ist wenigstens ein Gapformer
vorgesehen, der ein insbesondere durch eine Formier-
walze gebildetes Formierelement umf aBt und in dem die
Blattbildung der betreffenden Lagen mit hbherem Fein-
stoffgehalt auf der Formierelementseite erfolgt.
[0008] Eine bevorzugte Ausfuhrungsform der erfin-
dungsgemaBen Maschine zeichnet sich dadurch aus,
daB zur Bildung einer ersten Lage ein erster Gapformer
und zur Bildung einer zweiten Lage ein zweiter Gapfor-
mer vorgesehen ist und daB die erste Lage durch das
vom Obersieb getrennte Untersieb des ersten Gapfor-
5 mers einer Gautschzone zugefuhrt ist, in der die beiden
Lagen mit ihren Seiten geringeren Feinstoffgehalts mit-
einander vergautscht werden.
[0009] ZweckmaBigerweise ist die Drehrichtung des
Formierelements des zweiten Gapformers der Dreh-
10 richtung des Formierelements des ersten Gapformers
entgegengesetzt, wobei die zweite Lage an einer im Be-
reich der Gautschzone vorgesehenen Gautschwalze
umgekehrt wird.
[0010] In bestimmten Fallen ist es auch von Vorteil,
15 wenn wenigstens ein Langsiebformer vorgesehen ist, in
dem die Blattbildung der betreffenden Lage mit hbhe-
rem Feinstoffgehalt auf der vom Langsieb abgewandten
Oberseite erfolgt.
[0011] Eine bevorzugte Ausfuhrungsform der erfin-
20 dungsgemaBen Maschine zeichnet sich dadurch aus,
daB zur Bildung einer ersten Lage und einer zweiten La-
ge jeweils ein Langsiebformer vorgesehen ist und diese
beiden Lagen in einer ersten Gautschzone mit ihren Sei-
ten hoheren Feinstoffgehalts miteinander vergautscht
25 werden, daB zur Bildung einer dritten Lage ein Gapfor-
mer vorgesehen ist und daB die zweite Lage und die
dritte Lage in einer zweiten Gautschzone mit ihren Sei-
ten geringeren Feinstoffgehalts miteinander ver-
gautscht werden.
30 [0012] ZweckmaBigerweise ist die Strahl richtung des
Stoffauflaufs des zweiten Langsiebformers der Strahl-
richtung des Stoffauflaufs des ersten Langsiebformers
allgemein entgegengesetzt, wobei die zweite Lage an
einer im Bereich der ersten Gautschzone vorgesehenen
35 Gautschwalze umgekehrt wird.
[0013] Die dritte Lage wird vorzugsweise an einer im
Bereich der zweiten Gautschzone vorgesehenen
Gautschwalze umgekehrt.
[001 4] Eine weitere bevorzugte Ausfuhrungsform der
40 erfindungsgemaBen Maschine zeichnet sich dadurch
aus, daB zur Bildung einer ersten Lage ein Gapformer
und zur Bildung einer zweiten Lage und einer dritten La-
ge jeweils ein Langsiebformer vorgesehen ist und daB
die zweite Lage und die dritte Lage in einer ersten
« Gautschzone mit ihren Seiten hoheren Feinstoffgehalts
und die erste Lage und die zweite Lage in einer zweiten
Gautschzone mit ihren Seiten geringeren Feinstoffge-
halts miteinander vergautscht werden.
[0015] Dabei ist die Strahlrichtung des Stoffauflaufs
50 des die dritte Lage bildenden Langsiebformers Zweck-
maBigerweise der Strahlrichtung des Stoffauflaufs des
die zweite Lage bildenden Langsiebformers allgemein
entgegengesetzt.
[0016] Eine weitere bevorzugte Ausfuhrungsform der
55 erfindungsgemaBen Maschine zeichnet sich dadurch
aus, daB zur Bildung einer ersten Lage ein Langsiebfor-
mer und zur Bildung einer zweiten Lage und einer dritten
Lage jeweils ein Gapformer vorgesehen ist und daB die
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erste Lage und die zweite Lage mit ihren Seiten hoheren
Feinstoffgehalts und die zweite Lage und die dritte Lage
mit ihren Seiten geringeren Feinstoffgehalts miteinan-
der vergautscht werden.
[0017] Dabei entspricht die Strahlrichtung des Stoff-
auflaufs des die zweite Lage bildenden Gapformers
zweckmaBigerweise allgemein der Laufrichtung der er-
sten Lage.
[0018] Die Strahlrichtung des Stoffauflaufs des die
dritte Lage bildenden Gapformers ist zweckmaBiger-
weise der Laufrichtung der ersten Lage und der Lauf-
richtung der zweiten Lage allgemein entgegengesetzt.
[001 9] Eine weitere bevorzugte Ausfuhru ngsform der
erfindungsgemaBen Maschine zeichnet sich dadurch
aus, daBzur Bildung einer ersten Lage und einer zwei-
ten Lage jeweils ein Gapformer und zur Bildung einer
dritten Lage ein Langsiebformervorgesehen ist und daB
die erste Lage und die zweite Lage mit ihren Seiten ge-
ringeren Feinstoffgehalts und die zweite Lage und die
dritte Lage mit ihren Seiten hoheren Feinstoffgehalts
miteinander vergautscht werden.
[0020] Dabei ist die Strahlrichtung des Stoffauflaufs
des die zweite Lage bildenden Gapformers zweckma-
Bigerweise der Laufrichtung der ersten Lage allgemein
entgegengesetzt.
[0021] Die Strahlrichtung des Stoffauflaufs des die
dritte Lage bildenden Langsiebformers ist zweckmaBi-
gerweise der Laufrichtung der ersten Lage und der Lauf-
richtung der zweiten Lage allgemein entgegengesetzt.
[0022] Eine weitere bevorzugte Ausfuhru ngsform der
erfindungsgemaBen Maschine zeichnet sich dadurch
aus, daB zur Bildung einer ersten Lage ein Gapformer,
zur Bildung einer zweiten Lage ein Langsiebformer und
zur Bildung einer dritten Lage wieder ein Gapformer vor-
gesehen ist und daB zunachst die zweite Lage und die
dritte Lage mit ihren Seiten hoheren Feinstoffgehalts
und anschlieBend die erste Lage und die zweite Lage
mit ihren Seiten geringeren Feinstoffgehalts miteinan-
der vergautscht werden.
[0023] Dabei entspricht die Strahlrichtung des Stoff-
auflaufs des die zweite Lage bildenden Langsiebfor-
mers zweckmaBigerweise allgemein der Laufrichtung
der ersten Lage.
[0024] Die Strahlrichtung des Stoffauflaufs des die
dritte Lage bildenden Gapformers entspricht zweckma-
Bigerweise allgemein der Laufrichtung der ersten Lage
und der Laufrichtung der zweiten Lage.
[0025] Als Stoffauflauf eines jeweiligen Gapformers
kann sowohl ein Einschicht-Stoffauflauf als auch ein
Mehrschicht-Stoffauflauf vorgesehen sein.
[0026] Zur Bahnentwassemng konnen bei Bedarf
Gleichdruckentwasserungselemente vorgesehen sein.
Diese konnen grundsatzlich bei alien Formern einge-
setzt werden. Sie konnen beispielsweise so ausgefuhrt
sein, wie dies in der DE 1 97 33 31 6 A1 beschrieben ist.
[0027] Die Erfindung wird im folgenden anhand von
Ausfiihrungsbeispielen unter Bezugnahme auf die
Zeichnung naher erlautert; in dieser zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer Ma-
schine zur Herstellung einer zweilagigen Fa-
serstoffbahn mit zwei Gapformern,
5 Figur 2 eine schematische Darstellung einer Ma-
schine zur Herstellung einer dreilagigen Fa-
serstoffbahn mit zwei Langsiebformern zur
Bildung der ersten beiden Lagen und einem
Gapformer zur Bildung der dritten Lage,
10
Figur 3 eine schematische Darstellung einer Ma-
schine zur Herstellung einer dreilagigen Fa-
serstoffbahn mit einem Gapformer zur Bil-
dung der ersten Lage und zwei Langsiebfor-
*5 mem zur Bildung der zweiten und dritten La-
ge.
Figur 4 eine schematische Darstellung einer Ma-
schine zur Herstellung einer dreilagigen Fa-
20 serstoffbahn mit einem Langsiebformer zur
Bildung der ersten Lage und zwei Gapfor-
mern zur Bildung der zweiten und dritten La-
ge,
25 Figur 5 eine schematische Darstellung einer Ma-
schine zur Herstellung einer dreilagigen Fa-
serstoffbahn mit zwei Gapformern zur Bil-
dung der ersten und zweiten Lage und ei-
nem Langsiebformer zur Bildung der dritten
30 Lage und
Figur 6 eine schematische Darstellung einer Ma-
schine zur Herstellung einer dreilagigen Fa-
serstoffbahn mit einem Gapformer zur Bil-
35 dung der ersten Lage, einem Langsiebfor-
mer zu Bildung der zweiten Lage und einem
Gapformer zur Bildung der dritten Lage.
[0028] Die Figuren 1 bis 6 zeigen jeweils eine Maschi-
40 ne 1 0 zur Herstellung einer mehrlagigen Faserstoffbahn
12, in der die durch einen jeweiligen Former gebildeten
Lagen miteinander vergautscht werden. Bei der mehr-
lagigen Faserstoffbahn 12 kann es sich insbesondere
urn eine Papier- oder Kartonbahn handeln.
45 [0029] Dabei sind jeweils wenigstens zwei miteinan-
der zu vergautschende, auf einer Seite jeweils einen ge-
ringeren Feinstoffgehalt aufweisende Lagen A, B bzw.
B, C der betreffenden Gautschzone so zugefuhrt, daB
sie mit ihren Seiten geringeren Feinstoffgehalts mitein-
50 ander in Kontakt kommen.
[0030] Zumindest eine dieser beiden Lagen wird je-
weils durch einen Gapformer erzeugt, der ein insbeson-
dere durch eine Formierwalze gebildetes Formierele-
ment 14 umfaBt und in dem die Blattbildung der betref-
55 fenden Lage mit hoherem Feinstoffgehalt auf der For-
mierelementseite erfolgt. Die Gapformer umfassen je-
weils zwei umlaufende endlose Entwasserungsbander,
die unter Bildung eines Stoffeinlaufspattes zusammen-
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laufen und im Bereich dieses Stoffeinlaufspaltes uber
das jeweilige Foimierelement 14, hier jeweils eine For-
mierwalze, gefuhrt sind. Das auBere Entwasserungs-
band wird dem Formierelement 14 jeweils uber eine
Brustwalze 28 zugefuhrt. Der Stoffeintaufspalt wird je-
weils durch einen Stoffauflauf 30 mit Faserstoffsuspen-
sion beschickt. InnerhalbderSchlaufedes auBeren Ent-
wasserungsbandes ist unmittelbar im AnschluB an das
Formierelement 14 jeweils ein Formierschuh 32vorge-
sehen.
[0031] Bei der in der Figur 1 dargestellten Ausfuh-
rungsform ist zur Bildung einer ersten Lage A ein erster
Gapformer 1 6 und zur Bildung einer zweiten Lage B ein
zweiter Gapformer 18 vorgesehen. Die erste Lage A ist
durch das vom Obersieb 20 getrennte Untersieb 22 des
ersten Gapformers 1 6 einer Gautschzone 24 zugefuhrt,
in der die beiden Lagen A, B mit ihren Seiten geringeren
Feinstoffgehalts miteinander vergautscht werden.
[0032] Die Drehrichtung des Formiereiements 1 4 des
zweiten Gapformers 18 ist der Drehrichtung des For-
miereiements 14 des ersten Gapformers 16 entgegen-
gesetzt. Die zweite Lage B wird an einer im Bereich der
Gautschzone 24 vorgesehenen Gautschwalze 26 urn-
gekehrt.
[0033] Die sich ergebende Feinstoffverteilung ist im
rechten Bereich der Figur 1 nochmals symbolisch dar-
gestellt.
[0034] Die in den Figuren 2 bis 6 dargestellten Aus-
fuhrungsformen umfassen jeweils wenigstens einen
Langsiebformer, in dem die Blattbildung der betreffen-
den Lage mit hdherem Feinstoffgehalt auf der vom
Langsieb abgewandten Oberseite erfolgt.
[0035] Bei der in der Figur 2 dargestellten Ausfuh-
rungsform ist zur Bildung einer ersten Lage A und einer
zweiten Lage B jeweils ein solcher Langsiebformer 34
bzw. 36 vorgesehen. Dabei werden die beiden Lagen
A, B in einer ersten Gautschzone 38 mit ihren Seiten
hoheren Feinstoffgehalts miteinander vergautscht.
[0036] Zur Bildung einer drift en Lage C ist ein Gap-
former 40 vorgesehen. Die zweite Lage B und die dritte
Lage C werden in einer zweiten Gautschzone 42 mit ih-
ren Seiten geringeren Feinstoffgehalts miteinander ver-
gautscht.
[0037] Die -Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 44 des
zweiten Langs iebformers 36 ist der Strahlrichtung des
Stoffaufiaufs 44 des ersten Langsiebformers 34 allge-
mein entgegengesetzt. Die zweite Lage B wird an einer
im Bereich der ersten Gautschzone 38 vorgesehenen
Gautschwalze 46 umgekehrt.
[0038] Die dritte Lage C wird an einer im Bereich der
zweiten Gautschzone 42 vorgesehenen Gautschwalze
48 umgekehrt.
[0039] Die sich ergebende Feinstoffverteilung ist im
linken Bereich der Figur 2 nochmals symbolisch darge-
stellt.
[0040] Bei der in der Figur 3 dargestellten Ausfuh-
rungsform ist zur Bildung einer ersten Lage A ein Gap-
former 1 6 und zur Bildung einer zweiten Lage B und ei-
ner dritten Lage C jeweils ein Langsiebformer 36 bzw.
50 vorgesehen. Die zweite Lage B und die dritte Lage
C werden in einer ersten Gautschzone 52 mit ihren Sei-
ten hoheren Feinstoffgehalts und die erste Lage A und
5 die zweite Lage B in einer zweiten Gautschzone 54 mit
ihren Seiten geringeren Feinstoffgehalts miteinander
vergautscht.
[0041 ] Die Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 44 des die
dritte Lage C bildenden Langsiebformers 50 ist der
10 Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 44 des die zweite Lage
B bildenden Langsiebformers 36 allgemein entgegen-
gesetzt.
[0042] Im Bereich der Gautschzone 52 ist das Lang-
sieb des Langsiebformers 36 uber eine Gautschwalze
*5 56 gefiihrt Im Bereich der Gautschzone 54 ist das Lang-
sieb des Langsiebformers 50 uber eine Gautschwalze
58 gefuhrt.
[0043] Die sich ergebende Feinstoffverteilung ist im
rechten Bereich der Figur 3 nochmals symbolisch dar-
20 gestellt.
[0044] Bei der in der Figur 4 dargestellten Ausfuh-
rungsform ist zur Bildung einer ersten Lage ein Lang-
siebformer 34 und zur Bildung einerzweiten Lage B und
einer dritten Lage C jeweils ein Gapformer 1 8 bzw. 40
25 vorgesehen. Die erste Lage A und die zweite Lage B
werden mit ihren Seiten hoheren Feinstoffgehalts und
die zweite Lage B und die dritte Lage C mit ihren Seiten
geringeren Feinstoffgehalts miteinander vergautscht.
[0045] Die Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 30 des die
30 zweite Lage bildenden Gapformers 1 8 entspricht allge-
mein der Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 44 des die er-
ste Lage B bildenden Langsiebformers 34.
[0046] Die Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 30 des die
dritte Lage C bildenden Gapformers 40 ist der Laufrich-
35 tung der ersten Lage A und der Laufrichtung der zweiten
Lage B allgemein entgegengesetzt.
[0047] Im Bereich der ersten Gautschzone ist das
Obersieb des Gapformers 1 8 uber eine Gautschwalze
60 gefuhrt. Im Bereich der zweiten Gautschzone ist das
40 Untersieb des Gapformers 40 uber eine Gautschwalze
62 gefuhrt.
[0048] Die sich ergebende Feinstoffverteilung ist im
rechten Bereich der Figur 4 nochmals symbolisch dar-
gestellt.
45 [0049] Bei der in der Figur 5 dargestellten Ausfiih-
rungsform ist zur Bildung einer ersten Lage A und einer
zweiten Lage B jeweils ein Gapformer 16 bzw. 18 und
zur Bildung einer dritten Lage C ein Langsiebformer 50
vorgesehen. Die erste Lage A und die zweite Lage B
so werden mit ihren Seiten geringeren Feinstoffgehalts
und die zweite Lage B und die dritte Lage C mit ihren
Seiten hoheren Feinstoffgehalts miteinander ver-
gautscht.
[0050] Die Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 30 des die
55 zweite Lage B bildenden Gapformers 18 ist der Lauf-
richtung der ersten Lage A allgemein entgegengesetzt.
[0051] Die Strahlrichtung des Stoffaufiaufs 44 des die
dritte Lage C bildenden Langsiebformers 50 ist der Lauf-
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richtung der ersten Lage A und der Laufrichtung der
zweiten Lage B allgemein entgegengesetzt.
[0052] Im Bereich der ersten Gautschzone ist das Un-
tersieb des Gapformers 1 8 wieder uber eine
Gautschwalze 26 gefuhrt. Das Langsieb des Langsieb-
formers 50 ist im Bereich der zweiten Gautschzone wie-
der uber eine Gautschwalze 58 gefuhrt.
[0053] Die sich ergebende Feinstoffverteilung ist im
rechten Bereich der Figur 5 nochmals symbolisch dar-
gesteltt.
[0054] Bei der in der Figur 6 dargesteltten Ausfuh-
rungsform ist zur Bildung einer ersten Lage A ein Gap-
former 16, zur Bildung einer zweiten Lage B ein Lang-
siebformer 36 und zur Bildung einer dritten Lage C wie-
der ein Gapformer 40 vorgesehen. Dabei werden zu-
nachst die zweite Lage B und die dritte Lage C mit ihren
Seiten hoheren Feinstoffgehalts und anschlieRend die
erste Lage A und die zweite Lage B mit ihren Seiten ge-
ringeren Feinstoffgehalts miteinander vergautscht.
[0055] Die Strahlrichtung des Stoffauflaufs 44 des die
zweite Lage B bildenden Langsiebformers 36 entspricht
allgemein der Laufrichtung der ersten Lage A.
[0056] Die Strahlrichtung des Stoffauflaufs 30 des die
dritte Lage C bildenden Gapformers 40 entspricht allge-
mein der Laufrichtung der ersten Lage A und der Lauf-
richtung der zweiten Lage B.
[0057] Im Bereich der ersten Gautschzone ist das
Langsieb des Langsiebformers 36 uber eine
Gautschwalze 64 gefuhrt. Das Untersieb des Gapfor-
mers 40 ist im Bereich der zweiten Gautschzone uber
eine Gautschwalze 66 gefuhrt.
[0058] Die sich ergebende Feinstoffverteilung ist im
rechten Bereich der Figur 6 nochmals symbolisch dar-
gestellt.
[0059] Die verschiedenen Gapformer 1 6, 1 8, 40 kon-
nen jeweils mit einem Mehrschicht-Stoffauflauf oder ei-
nem Einschicht-Stoffauflauf versehen sein.
[0060] Zur Bah nentwasse rung konnen nach Bedarf
Gleichdruckentwasserungselemente vorgesehen sein.
Grundsatzlich ist ein Einsatz solcher Gleichdruckent-
wasserungselementebei samtlichen Formern denkbar.
Bezugszeichenliste
[0061]
10 Maschine
12 mehrlagige Faserstoffbahn
14 Formierelement, Formierwalze
1 6 Gapformer
1 8 Gapformer
20 Obersieb
22 Untersieb
24 Gautschzone
26 Gautschwalze
28 Brustwaize
30 Stoffauflauf
32 Formierschuh
34
Langsiebformer
36
Langsiebformer
38
Gautschzone
40
Gapformer
5
42
Gautschzone
44
Stoffauflauf
46
Gautschwalze
48
Gautschwalze
50
Langsiebformer
10
52
Gautschzone
t itc/*h7rt no
OdULo^l IZUMc
56
Gautschwalze
58
Gautschwalze
60
Gautschwalze
15
62
Gautschwalze
64
Gautschwalze
66
Gautschwalze
A
erste Lage
20
B
zweite Lage
c
dritte Lage
Patentansprtiche
25
1. Maschine (10) zur Herstellung einer mehrlagigen
Faserstoffbahn (12), insbesondere einer Papier-
oder Kartonbahn, in der die durch einen jeweiligen
Former gebildeten Lagen (A - C) miteinander ver-
so gautscht werden,
dadurch gekennzeichnet,
daB wenigstens zwei miteinander zu vergautschen-
de, auf einer Seite jeweils einen geringeren Fein-
stoffgehalt aufweisende Lagen (A, B; B, C) der be-
35 treffenden Gautschzone (24, 42) so zugefiihrt sind,
daBsie mit ihren Seiten geringeren Feinstoffgehalts
miteinander in Kontakt kommen, und daB zumin-
dest eine dieser beiden Lagen durch einen Gapfor-
mer (16, 18, 40) erzeugt ist.
40
2. Maschine nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daB wenigstens ein Gapformer (16, 18, 40) vorge-
sehen ist, der ein insbesondere durch eine Formier-
45 walze gebildetes Formierelement (14) umfaBt und
in dem die Blattbildung der betreffenden Lage (A -
C) mit hdherem Feinstoffgehalt auf der Formierele-
mentseite erfolgt.
so 3. Maschine nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daB zur Bildung einer ersten Lage (A) ein erster
Gapformer (1 6) und zur Biidung einer zweiten Lage
(B) ein zweiter Gapformer (18) vorgesehen ist und
55 daB die erste Lage (A) durch das vom Obersieb (20)
getrennte Untersieb (22) des ersten Gapformers
(1 6) einer Gautschzone (24) zugefuhrt ist, in der die
beiden Lagen (A, B) mit ihren Seiten geringeren
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10
Feinstoffgehalts miteinander vergautscht werden.
4. Maschine nach Anspruch 3, .
dadurch gekennzeichnet,
daB die Drehrichtung des Formierelements (14)
des zweiten Gapfomners (18) der Drehrichtung des
Formierelements (14) des ersten Gapfomners (16)
entgegengesetzt ist und daB die zweite Lage (B) an
einer im Bereich der Gautschzone (24) vorgesehe-
nen Gautschwalze (26) umgekehrt wird.
5. Maschine nach einem der vorhergehenden Ansprii-
che,
dadurch gekennzeichnet,
daB wenigstens ein Langsiebformer (34, 36, 50)
vorgesehen ist, in dem die Blattbildung der betref-
fenden Lage (A-C) mit hoherem Feinstoffgehalt auf
der vom Langsieb abgewandten Oberseite erfolgt.
6. Maschine nach einem der Anspriiche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daB zur Bildung einer ersten Lage (A) und einer
zweiten Lage (B) jeweils ein Langsiebformer (34
bzw. 36) vorgesehen ist und diese beiden Lagen (A,
B) in einer ersten Gautschzone (38) mit ihren Seiten
hoheren Feinstoffgehalts miteinander vergautscht
werden, daB zur Bildung einer dritten Lage (C) ein
Gapformer (40) vorgesehen ist und daB die zweite
Lage (B) und die dritte Lage (C) in einer zweiten
Gautschzone (42) mit ihren Seiten geringeren Fein-
stoffgehalts miteinander vergautscht werden.
7. Maschine nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (44) des
zweiten Langsiebformers (36) der Strahlrichtung
des Stoffauflaufs (44) des ersten Langsiebformers
(34) allgemein entgegengesetzt ist und daB die
zweite Lage (B) an einer im Bereich der ersten
Gautschzone (38) vorgesehenen Gautschwalze
(46) umgekehrt wird.
8. Maschine nach einem der Anspriiche 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet,
daB die dritte Lage (C) an einer im Bereich der zwei-
ten Gautschzone (42) vorgesehenen Gautschwal-
ze (48) umgekehrt wird.
9. Maschine nach einem der Anspriiche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daB zur Bildung einer ersten Lage (A) ein Gapfor-
mer (1 6) und zur Bildung einer zweiten Lage (B) und
einer dritten Lage (C) jeweils ein Langsiebformer
(36 bzw. 50) vorgesehen ist und daB die zweite La-
ge (B) und die dritte Lage (C) in einer ersten
Gautschzone (52) mit ihren Seiten hoheren Fein-
stoffgehalts und die erste Lage (A) und die zweite
Lage (B) in einer zweiten Gautschzone (54) mit ih-
ren Seiten geringeren Feinstoffgehalts miteinander
vergautscht werden.
10. Maschine nach Anspruch 9,
5 dadurch gekennzeichnet,
daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (44) des
die dritte Lage (C) bildenden Langsiebformers (50)
der Strahlrichtung des Stoffauflaufs (44) des die
zweite Lage (B) bildenden Langsiebformers (36)
io allgemein entgegengesetzt ist.
11. Maschine nach einem der Anspriiche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daB zur Bildung einer ersten Lage (A) ein Langsieb-
15 former (34) und zur Bildung einer zweiten Lage (B)
und einer dritten Lage (C) jeweils ein Gapformer (1 8
bzw. 40) vorgesehen ist und daB die erste Lage (A)
und die zweite Lage (B) mit ihren Seiten hoheren
Feinstoffgehalts und die zweite Lage (B) und die
20 dritte Lage (C) mit ihren Seiten geringeren Fein-
stoffgehalts miteinander vergautscht werden.
12. Maschine nach einem der Anspriiche 11,
dadurch gekennzeichnet,
25 daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (30) des
die zweite Lage (B) bildenden Gapfomners (18) all-
gemein der Laufrichtung der ersten Lage (A) ent-
spricht.
30 13. Maschine nach Anspruch 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet,
daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (30) des
die dritte Lage (C) bildenden Gapformers (40) der
Laufrichtung der ersten Lage (A) und der Laufrich-
35 tung der zweiten Lage (B) allgemein entgegenge-
setzt ist.
14. Maschine nach einem der Anspriiche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
40 daB zur Bildung einer ersten Lage (A) und einer
zweiten Lage (B) jeweils ein Gapformer (16 bzw.
1 8) und zur Bildung einer dritten Lage (C) ein Lang-
siebformer (50) vorgesehen ist und daB die erste
Lage (A) und die zweite Lage (B) mit ihren Seiten
45 geringeren Feinstoffgehalts und die zweite Lage (B)
und die dritte Lage (C) mit ihren Seiten hoheren
Feinstoffgehalts miteinander vergautscht werden.
15. Maschine nach Anspruch 14,
50 dadurch gekennzeichnet,
daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (30) des
die zweite Lage (B) bildenden Gapformers (1 8) der
Laufrichtung der ersten Lage (A) allgemein entge-
gengesetzt ist.
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16. Maschine nach Anspruch 14 oder 15,
dadurch gekennzeichnet,
daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (44) des
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40
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die dritte Lage (C) bildenden Langsiebformers (50)
der Laufrichtung der ersten Lage (A) und der Lauf-
richtung derzweiten Lage (B) allgemein entgegen-
gesetzt ist.
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17. Maschine nach einem der Anspruche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daB zur Bildung einer ersten Lage (A) ein Gapfor-
mer (16), zur Bildung einer zweiten Lage (B) ein
Langsiebformer (36) und zur Bildung einer dritten 10
Lage (C) wieder ein Gapformer (40) vorgesehen ist
und daB zunachst die zweite Lage (B) und die dritte
Lage (C) mit ihren Seiten hoheren Feinstoffgehalts
und anschlieBend die erste Lage (A) und die zweite
Lage (B) mit ihren Seiten geringeren Feinstoffge- '5
halts miteinander vergautscht werden.
18. Maschine nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet,
daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (44) des 20
die zweite Lage (B) bildenden Langsiebformers
(36) allgemein der Laufrichtung der ersten Lage (A)
entspricht.
19. Maschine nach Anspruch 17 Oder 18, 25
dadurch gekennzeichnet,
daB die Strahlrichtung des Stoffauflaufs (30) des
die dritte Lage (C) bildenden Gapformers (40) all-
gemein der Laufrichtung der ersten Lage (A) und
der Laufrichtung der zweiten Lage (B) entspricht. 30
20. Maschine nach einem der vorhergehenden Anspru-
che,
dadurch gekennzeichnet,
daB wenigstens ein Gapformer (16, 18, 40) mit ei- 35
nem Einschicht-Stoffauflauf vorgesehen ist.
21 . Maschine nach einem der vorhergehenden Anspru-
che,
dadurch gekennzeichnet, 40
daB wenigstens ein Gapformer (16, 18, 40) mit ei-
nem Mehrschicht-Stoffauflauf (30) vorgesehen ist.
22. Maschine nach einem dervorhergehenden Anspru-
che, 45
dadurch gekennzeichnet,
daB zur Bahnentwasserung Gleichdruckentwasse-
rungselemente vorgesehen sind.
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